半導體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)

半導體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹：

研究前景：

環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）是用于半導體封裝的一種熱固性化學材料，是由環(huán)氧樹脂為基體 樹脂，以高性能酚醛樹脂為固化劑，加入硅微粉等為填料，以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料，為后道封裝的主要原材料之一，目前95%以上的微電子器件都是環(huán)氧塑封器件。環(huán)氧塑封料具有保護芯片不受外界環(huán)境的影響，抵抗外部溶劑、濕氣、沖擊，保證芯片與外界環(huán)境電絕緣等功能。環(huán)氧塑封料對高功率半導體器件的高溫反向偏壓（HTRB）性能有重要控制作用。

產(chǎn)品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關性表明，極化峰值越

高，TSDC曲線越大，而HTRB性能越差，但這并不能wanquan解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障。因此，弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關鍵參數(shù)。

關于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術，為華測公司在國內(nèi)最早提及目前已被廣泛應用到更多的半導體封裝材料及半導體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的，同時加速國產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。

應用場景：

材料研發(fā)與性能評估：介電材料研究、絕緣材料評估、半導體材料分析；電子元器件與封裝技術：元器件可靠性測試、封裝材料選擇、封裝工藝優(yōu)化；電力與能源領域：電力設備絕緣監(jiān)測、儲能材料研究；其他領域：生物分子材料研究、環(huán)境監(jiān)測與保護；半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)在材料研發(fā)、電子元器件與封裝技術、電力與能源領域以及其他多個領域都具有廣泛的應用前景。隨著技術的不斷發(fā)展，TSDC測試系統(tǒng)將在更多領域發(fā)揮重要作用。

產(chǎn)品原理：

TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個極化過程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)。然后進行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進行釋放，同時配合測量儀器進行測量，并為科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會干擾MOS-FET半導體中反轉(zhuǎn)層的正常形成。通過TSDC試驗，我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

1、消除電網(wǎng)諧波對采集精度的影響

在超高阻、弱信號測量過程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會引起測量誤差。同時電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設備，將對電網(wǎng)造成諧波干擾。以致影響弱信號的采集，華測儀器公司推出的抗干擾模塊以及用最新測試分析技術,實現(xiàn)了高達1fA(10-15 A)的測量分辨率,從而滿足了很多半導體,功能材料和納米器件的測試需求。

2、消除不規(guī)則輸入的自動平均值功能,更強數(shù)據(jù)處理及內(nèi)部屏蔽

自動平均值是檢測電流的變化，并自動將其進行平均化的功能， 在查看測量結(jié)果的同時不需要改變設置。通過自動排除充電電流的過渡響應時或接觸不穩(wěn)定導致偏差較大。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器，是將內(nèi)部屏蔽連接至GUARD(COM)線，外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設計。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時的安全性。

3、更強大的操作軟件

測試系統(tǒng)的軟件平臺 Huacepro ，基于labview系統(tǒng)開發(fā)，符合功能材料的各項測試需求，具備強大的穩(wěn)定性與操作安全性，并具備斷電資料的保存功能，圖像資料也可保存恢復。支持最新的國際標準，兼容XP、win7、win10系統(tǒng)。

4、更強大的硬件配置

5、可擴展的測量模式

產(chǎn)品曲線：

產(chǎn)品參數(shù)：

設備型號：HC-TSC

溫度范圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀;

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫制冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232  

設備尺寸 ：180 x 210 x 50mm